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进口原装NMOS场效应管IRFR024N
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进口原装NMOS场效应管IRFR024N

IRFR024NIRFR024NTRPBFInfineon原装NMOS17A55VIRFR024NIRFR024NTRPBF55V单个N通道IRMOSFET,TO252封装

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    广东 广州 天河区 天河路561号龙苑大厦
产品特性:原装品牌:Infineon型号:IRFR024NTRPBF
封装:TO252批号:20+FET类型:MOS
漏源电压(Vdss):55V漏极电流(Id):17A漏源导通电阻(RDS On):0.075Ω
栅源电压(Vgs):- 20 V, + 20 V栅极电荷(Qg):20 nC最大耗散功率:45mW
配置类型:MOS工作温度范围:-55+175安装类型:SMD

IRFR024N IRFR024NTRPBF Infineon原装NMOS 17A 55V

IRFR024N IRFR024NTRPBF 55V单个N通道IR MOSFET, TO252封装

 

型号:IRFR024N IRFR024NTRPBF

厂商:Infineon/IR半导体

封装:TO252

包装:2000PCS/盘

批次:新年份

类型:MOS

描述:55V单个N通道IR MOSFET, 采用D-Pak封装

丝印(打字):FRN24N

备注:Infineon/IR半导体原厂原装

替代:


IRFR024N规格

产品属性属性值
Infineon
MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
55 V
17 A
75 mOhms
- 20 V, + 20 V
1.8 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
45 W
Enhancement
Cut Tape
MouseReel
Reel
配置:Single
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:6.22 mm
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFETs
单位重量:330 mg


IRFR024N图片


 

IRFR024N特性

Vdss=55V

Rds(on)0.075Ω

Id=17A

 

IRFR024N优势

宽SOA的平面单元结构

针对分销合作伙伴的***可用性进行了优化

根据JEDEC标准的产品认证

硅经过优化,适用于低于100kHz的开关

行业标准的表面贴装电源套件

能够波峰焊


IRFR024N参数



IRFR024N丝印



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