产品特性:原装 | 品牌:Infineon | 型号:IRFR024NTRPBF |
封装:TO252 | 批号:20+ | FET类型:MOS |
漏源电压(Vdss):55V | 漏极电流(Id):17A | 漏源导通电阻(RDS On):0.075Ω |
栅源电压(Vgs):- 20 V, + 20 V | 栅极电荷(Qg):20 nC | 最大耗散功率:45mW |
配置类型:MOS | 工作温度范围:-55+175 | 安装类型:SMD |
IRFR024N IRFR024NTRPBF Infineon原装NMOS 17A 55V
IRFR024N IRFR024NTRPBF 55V单个N通道IR MOSFET, TO252封装
型号:IRFR024N IRFR024NTRPBF
厂商:Infineon/IR半导体
封装:TO252
包装:2000PCS/盘
批次:新年份
类型:MOS
描述:55V单个N通道IR MOSFET, 采用D-Pak封装
丝印(打字):FRN24N
备注:Infineon/IR半导体原厂原装
替代:
IRFR024N规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
Infineon | |
MOSFET | |
Si | |
SMD/SMT | |
TO-252-3 | |
N-Channel | |
1 Channel | |
55 V | |
17 A | |
75 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
1.8 V | |
20 nC | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
45 W | |
Enhancement | |
Cut Tape | |
MouseReel | |
Reel | |
配置: | Single |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
商标: | Infineon / IR |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 2000 |
子类别: | MOSFETs |
单位重量: | 330 mg |
IRFR024N图片
IRFR024N特性
Vdss=55V
Rds(on)0.075Ω
Id=17A
IRFR024N优势
宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的***可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品认证
硅经过优化,适用于低于100kHz的开关
行业标准的表面贴装电源套件
能够波峰焊
IRFR024N参数
IRFR024N丝印